大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于stm32f407门禁考勤的问题，于是小编就整理了5个相关介绍stm32f407门禁考勤的解答，让我们一起看看吧。

1. STM32F407,了解的请介绍下这个芯片性能,谢谢
2. stm32f407超过flash容量还能运行
3. stm32f446和407区别
4. STM32F407的介绍是什么?
5. stm32f407内部flash写慢

1、STM32F407,了解的请介绍下这个芯片性能,谢谢

STM32F407ZG系列是基于高性能的ARMCortex-M4F的32位RISC内核，工作频率高达168 MHz的。的Cortex-M4F核心功能支持所有ARM单精度数据处理指令和数据类型的单精度浮点单元（FPU）。

STM32F4是由ST（意法半导体）开发的一种高性能微控制器。其采用了90 纳米的NVM 工艺和ART（自适应实时存储器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator）。

你好，STM32F407VGT6TR 闪存32位单核微控制器IC。

f407整体性能要好103很多倍，也加入了更高级的内核，比如dsp。可以更快的跑系统。内核：STM32F103系列是Cortex_M3最高72M主频。STM32F407是Cortex_M4最高168M主频带DSP，其次不少的集成外设被加强。

2、stm32f407超过flash容量还能运行

你好，STM32F407VGT6TR 闪存32位单核微控制器IC。

Flash存储器通常采用NOR或NAND类型的存储单元，这些存储单元具有较高的读取速度，但写入速度相对较慢。

HSI时钟信号由内部8MHz的RC振荡器产生，可直接作为系统时钟或在2分频后作为PLL输入。 HSI RC振荡器能够在不需要任何外部器件的条件下提供系统时钟。它的启动时间比HSE晶体振荡器短。

拥有（F407ZGT6）1MB内置flash，以及192 4KB的运行内存，足以满足大部分需求。但是实际运用中有128KB可以使用，并且这里保存着运行过程中系统所占用的空间，所以实际可用空间低于128KB。

stm32l431内部flash容量为256KB。根据查询相关资料信息，STM32L431RCT6芯片的片内Flash存储区的大小为256KB，地址范围为：0x0800_0000-0x0803_FFFF。

3、stm32f446和407区别

区别是处理器速度不同。stm32f446采用了ARMCortex-M4内核，最高主频可达180MHz。stm32f407采用了ARMCortex-M4内核，最高主频为168MHz。

STM32F4是由ST（意法半导体）开发的一种高性能微控制器。其采用了90 纳米的NVM 工艺和ART（自适应实时存储器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator）。

有区别。STM32F407在各个方面都是超过STM32F103的。STM32F407主频是168M，STM32F103是72M。STM32F407有DSP指令，STM32F103没有DSP指令。brSTM32F407的IO数是112个，STM32F103IO数是112个。

STM32F407ZG概述 STM32F407ZG系列是基于高性能的ARMCortex-M4F的32位RISC内核，工作频率高达168 MHz的。的Cortex-M4F核心功能支持所有ARM单精度数据处理指令和数据类型的单精度浮点单元（FPU）。

4、STM32F407的介绍是什么?

STM32F4是由ST（意法半导体）开发的一种高性能微控制器。其采用了90 纳米的NVM 工艺和ART（自适应实时存储器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator）。

STM32F407ZG系列是基于高性能的ARMCortex-M4F的32位RISC内核，工作频率高达168 MHz的。的Cortex-M4F核心功能支持所有ARM单精度数据处理指令和数据类型的单精度浮点单元（FPU）。

stm32f411和407区别是：stm32f407：又称STM32F4，由ST（意法半导体）开发的一种高性能微控制器。采用了90纳米的NVM工艺和ART。特点不同。

STM32F407是Cortex_M4最高168M主频带DSP，其次不少的集成外设被加强。GPIO本身407可有较多的功能选择，细节改动不少，以至于要不同的驱动库；然后存储器的Flash和SRAM加大了很多。

5、stm32f407内部flash写慢

STM32内部Flash模拟EEPROM具有以下缺点：速度较慢： STM32内部Flash模拟EEPROM的读写速度比真正的EEPROM慢得多。这是因为Flash模拟EEPROM需要模拟EEPROM的硬件电路，并且需要CPU进行控制和管理。

您要问的是stm32写flash写入超时是怎么回事？原因如下。检查擦除速度没有异常。测量单片机的复位是否正常。

stm32写内部flash需要延迟。根据查询相关公开信息显示，配置STM32H7程序的时候我们基本都会给Flash配置个延迟周期。这是因为H7所带的Flash速度在0延迟周期时，仅支持70MHz时钟。

你检查一下代码，看看是否存在一下问题：看看写flash前是否已经解锁flash，写完后是否完成上锁。你写入flash的地址是否正确，不能超出flash地址范围（不同芯片范围大小是不一样的）。

可编程性：STM32的内部Flash可以通过编程方式进行擦写和写入操作，因此可以方便地更新参数或配置。速度快：内部Flash存储器速度相对较快，可以快速读取或写入参数数据，适合在实时应用中使用。

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